消息称国产17nm工艺内存芯片良率已到40% Q2首发供应DDR4
发布时间：2022-02-24 18:53:03 所属栏目：产品 来源：互联网
导读：经过几年的追赶，国产DRAM内存芯片由合肥长鑫在2019年量产，首发的是19nm工艺，今年合肥长鑫就要推出下一代的17nm工艺内存芯片了，不过首发产品不是传闻中的DDR5，而是DDR4。 来自大摩的分析称，合肥长鑫的17nm工艺DRAM芯片良率已经达到了40%，预计Q2季度
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经过几年的追赶，国产DRAM内存芯片由合肥长鑫在2019年量产，首发的是19nm工艺，今年合肥长鑫就要推出下一代的17nm工艺内存芯片了，不过首发产品不是传闻中的DDR5，而是DDR4。 来自大摩的分析称，合肥长鑫的17nm工艺DRAM芯片良率已经达到了40%，预计Q2季度就会给客户供应产品，其成本相比台系厂商的20nm、25nm工艺内存更有优势。 至于生产方面，大摩称合肥长鑫的产能今年会增加到8万片晶圆/月，并在北京新建工厂，量产17nm工艺内存芯片。 此前的报道中，长鑫还会研发7nm及以下工艺的DDR5、LPDDR5等内存，再下一代的10G5工艺中，除了DDR5、LPDDR5之外还有GDDR6显存。 此外，长鑫在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的目标，2022年的产能目标是12万片晶圆/月，未来的产能目标是30万片晶圆/月。 （编辑：云计算网_泰州站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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