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Kilopass推出VLT技术 掀起DRAM产业变革

发布时间:2016-10-14 04:49:37 所属栏目:动态 来源:TechWeb.com.cn
导读:今天下午,知名半导体嵌入式非易失性存储产品供应商Kilopass在背景正式推出其革命性的垂直分层晶闸管(VerticalLayeredThyristor)技术,简称VLT。该技术将彻底改变DRAM产业格局,进而颠覆全球DRAM市

今天下午,知名半导体嵌入式非易失性存储产品供应商Kilopass在背景正式推出其革命性的垂直分层晶闸管(VerticalLayeredThyristor)技术,简称VLT。该技术将彻底改变DRAM产业格局,进而颠覆全球DRAM市场。

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实际上VLT存储单元在2015年已通过验证,目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。Kilopass一直致力于推广这项技术,并正与DRAM制造商进行许可协商。

Kilopass首席执行官CharlieCheng表示“Kilopass以一次性可编程(OTP)存储器技术的领导者而闻名,我很高兴我们能够为DRAM市场带来新的革新,VLT技术是一项真正具有颠覆性的技术,运用它我们的被授权商能够迅速高效地为市场提供与JEDEC标准完全兼容的DRAM产品,这些产品在功耗和成本上将具有显著优势,同时也免去了现有DRAM制造流程中构建电容的困扰。”

晶闸管是一种结构复杂的电子器件,在电学上等效于一对交叉耦合的双极型晶体管。由于锁存的形成,这种结构非常适合存储器;与当前基于电容的DRAM相比,晶闸管内存不需要刷新。晶闸管于20世纪50年代被发明,之前人们曾屡次尝试将其应用于SRAM市场,但都未能成功。

(编辑:云计算网_泰州站长网)

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