加入收藏 | 设为首页 | 会员中心 | 我要投稿 云计算网_泰州站长网 (http://www.0523zz.com/)- 视觉智能、AI应用、CDN、行业物联网、智能数字人!
当前位置: 首页 > 综合聚焦 > 创业热点 > 模式 > 正文

厉害了!长江存储官宣128层闪存芯片研发成功

发布时间:2020-04-13 20:31:43 所属栏目:模式 来源:站长网
导读:网易科技讯 4月13日消息,长江存储今日在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。 长江存储表示,X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密

网易科技讯 4月13日消息,长江存储今日在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

长江存储表示,X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片X2-9060,以满足不同应用场景的需求。

据了解,每颗X2-6070 QLC闪存芯片共提供1.33Tb的存储容量。而在I/O读写性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps(Gigabits/s千兆位/秒)的数据传输速率。

长江存储表示,公司用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。

另据财联社报道,预计2020年底-2021年中旬陆续量产,目标达到月产能10万片;供应链消息透露,这款闪存已送样。

(编辑:云计算网_泰州站长网)

【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容!

    推荐文章
      热点阅读